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J-GLOBAL ID：201002026302730522   整理番号：78A0337398

pチャンネルSiゲートMOSトランジスタの室温不安定性

Room temperature instabilities of p-channel silicon gate MOS transistors.
著者 (3件)：
NAKAYAMA H

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OSADA Y

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SHINDO M

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資料名：
J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)

J Electrochem Soc について


巻： 125  号： 8  ページ： 1302-1306  発行年： 1978年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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