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J-GLOBAL ID：201002027702385006   整理番号：75A0239342

In2O3-P形Siダイオードの光電効果

Photoelectric effects of In2O3-pSi diodes.
著者 (4件)：
MATSUNAMI H

MATSUNAMI H について

, 
OO K

OO K について

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ITO H

ITO H について

, 
TANAKA T

TANAKA T について


資料名：
Jap J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)

Jap J Appl Phys について


巻： 14  号： 6  ページ： 915-916  発行年： 1975年 
JST資料番号： G0520A  CODEN： JJAPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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良好な整流性と大きい光電効果はn-p素子でのみ得られる。光ス...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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光電効果

光電効果 について

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P形Si

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ダイオード

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