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J-GLOBAL ID：201002028613463970   整理番号：77A0200265

Si:Pシステムにおける伝導電子スピン共鳴(CESR)に対するイオン注入原子の効果

Effects of ion-implanted atoms upon conduction electron spin resonance (CESR) in a Si:P system.

著者 (4件)： MURAKAMI K ,  MASUDA K ,  GAMO K ,  NAMBA S
資料名： Appl Phys Lett  (Applied Physics Letters)
巻： 30  号： 6  ページ： 300-302  発行年： 1977年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン注入(Si:P):Sbと(Si:P):Teシステムの伝...

シソーラス用語： けい素 ,...

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タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  伝導電子スピン共鳴 ,  CESR ,  イオン注入 ,  原子