ほう素注入シリコンの酸化で生じた積層欠陥の電子線誘起電流と透過電子顕微鏡による研究

SEIDEL T E; HASZKO S E; MAHER D M

文献

J-GLOBAL ID：201002028613742020 整理番号：78A0201912

ほう素注入シリコンの酸化で生じた積層欠陥の電子線誘起電流と透過電子顕微鏡による研究

Electron-beam-induced current and TEM studies of stacking faults formed by the oxidation of boron-implanted silicon.

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巻： 48 号： 12 ページ： 5038-5042 発行年： 1977年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

エミッタ-ベース間(e-b)接合を電子線誘起電流(EBIC)...

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