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J-GLOBAL ID：201002029309074026   整理番号：79A0243724

低い障壁高さのエピタキシャルGe-GaAsミクサダイオード

Low-barrier-height epitaxial Ge-GaAs mixer diodes.

著者 (3件)： CHRISTOU A ,  DAVEY J E ,  ANAND Y
資料名： Electron Lett  (Electronics Letters)
巻： 15  号： 11  ページ： 324-325  発行年： 1979年 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いGe-GaAs構造の素子で障壁高さを低下させ0.2〜0...

シソーラス用語： ミクサダイオード ,...

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タイトルに関連する用語 (5件)： 障壁高さ ,  エピタキシャル ,  Ge ,  GaAs ,  ミクサダイオード