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J-GLOBAL ID：201002030851993613   整理番号：78A0159713

炭化けい素単結晶インゴットの成長過程に関する研究

Investigation of growth processes of ingots of silicon carbide single crystals.

著者 (2件)： TAIROV Yu M ,  TSVETKOV V F
資料名： J Cryst Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 43  号： 2  ページ： 209-212  発行年： 1978年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  CODEN： JCRGA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究により,1800〜2600°Cで種結晶から単結晶Si...

シソーラス用語： 結晶成長 ,...

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タイトルに関連する用語 (4件)： 炭化けい素 ,  単結晶インゴット ,  成長過程 ,  研究