選択ドープしたGaAs/n-Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>Asヘテロ接合を持つ新しい電界効果トランジスタ

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J-GLOBAL ID：201002033203910051 整理番号：80A0299283

選択ドープしたGaAs/n-Al_xGa_1-xAsヘテロ接合を持つ新しい電界効果トランジスタ

A new field-effect transistor with selectively doped GaAs/n-Al_xGa_1-xAs heterojunctions.

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資料名：
巻： 19 号： 5 ページ： L225-L227 発行年： 1980年
JST資料番号： G0520A ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

分子ビーム・エピタキシー(MBE)成長で選択ドープした標題の...

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引用文献 (3件)：

1) R. Dingle, H. L. Störmer, A. C. Gossard and W. Wiegmann: Appl. Phys. Lett. 33 (1978) 655.
2) H. Kröemer and W. Y. Chien: IEEE Trans. Electron Devices ED-26 (1979) 1839.
3) H. L. Störmer, R. Dingle, A. C. Gossard, W. Wiegmann and M. D. Sturge: Solid State Commun. 29 (1979) 705.

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