文献
J-GLOBAL ID：201002035299988237   整理番号：78A0223570

反応性プラズマからシリコン上に蒸着されたSi-N膜の電気的特性

Electrical properties of Si-N films deposited on silicon from reactive plasma.
著者 (2件)：
SINHA A K

SINHA A K について

, 
SMITH T E

SMITH T E について


資料名：
J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)

J Appl Phys について


巻： 49  号： 5  ページ： 2756-2760  発行年： 1978年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
反応性プラズマによって蒸着されたSi-N膜はシリコン集積回路...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
けい化物

けい化物 について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=78A0223570&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}
タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
反応性プラズマ

反応性プラズマ について

, 
シリコン

シリコン について

, 
蒸着

蒸着 について

, 
Si

Si について

, 
電気的特性

電気的特性 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM