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J-GLOBAL ID:201002035367252252 整理番号:75A0134108
MNOS素子に関する電荷中心の測定によって示された窒化けい素のトラップ特性
Silicon nitride trap properties as revealed by charge-centroid measurements on MNOS devices.
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{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=75A0134108©=1") }}
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著者 (2件):
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資料名:
Appl Phys Lett (Applied Physics Letters)
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巻:
26
号:
3
ページ:
94-96
発行年:
1975年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)
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MNOS素子の電荷中心の研究は注入された電子が誘電的な界面で...
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