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J-GLOBAL ID:201002035445127125 整理番号:79A0275669
CCDの抵抗入力ゲートによる電荷注入の線形性
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{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=79A0275669©=1") }}
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{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=79A0275669&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}
著者 (1件):
米井健治
米井健治 について
名寄せID(JGPN) 201550000110792355 ですべてを検索
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(
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)
芝浦工大 について
名寄せID(JGON) 201551000098183503 ですべてを検索
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資料名:
電子通信学会技術研究報告 (電子情報通信学会技術研究報告)
電子通信学会技術研究報告 について
JST資料番号 S0532B ですべてを検索
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巻:
79
号:
84
ページ:
49-56(SSD79-25)
発行年:
1979年
JST資料番号:
S0532B
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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Dynamic Injection法の信号電荷注入特性の線形...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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電荷結合素子
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