文献
J-GLOBAL ID：201002036106398094   整理番号：80A0357198

In2O3およびインジウムすず酸化物真空蒸着膜の電気的性質

Electrical properties of vacuum-deposited indium oxide and indium tin oxide films.
著者 (1件)：
MIZUHASHI M

MIZUHASHI M について

(Asahi Glass Co., Yokohama)

Asahi Glass Co., Yokohama について


資料名：
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

Thin Solid Films について


巻： 70  号： 1  ページ： 91-100  発行年： 1980年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  CODEN： THSFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
10-4Torrの酸素ふん囲気中でIn...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
真空蒸着法

真空蒸着法 について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=80A0357198&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0899A") }}
タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
インジウムすず酸化物

インジウムすず酸化物 について

, 
真空蒸着

真空蒸着 について

, 
電気的性質

電気的性質 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM