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J-GLOBAL ID：201002036830337250   整理番号：77A0230207

イオン注入したシリコンにおけるポジトロン消滅

Аннигиляция позитронов в ионно-легированном кремнии.
著者 (3件)：
ДРУЖКОВ А П

ДРУЖКОВ А П について

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ХАЙБУЛЛИН И Б

ХАЙБУЛЛИН И Б について

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БАЯЗИТОВ Р М

БАЯЗИТОВ Р М について


資料名：
Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)

Fiz Tekh Poluprovo について


巻： 11  号： 4  ページ： 766-768  発行年： 1977年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)
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p型のシリコン単結晶に40keVのエネルギーでりんをイオン注...
シソーラス用語：
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半導体

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