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J-GLOBAL ID：201002039576431925   整理番号：78A0031805

In溶液から成長させたInドープGaP液相エピタキシーにおける転位密度低下

Reduction in dislocation density in In-doped GaP LPE layers grown from indium solvent.
著者 (4件)：
SUGIURA T

SUGIURA T について

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TANAKA A

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HAGINO M

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SUKEGAWA T

SUKEGAWA T について


資料名：
J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)

J Appl Phys について


巻： 48  号： 11  ページ： 4815-4816  発行年： 1977年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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