有機金属を用いたCVD法で成長させた量子井戸Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As-GaAsヘテロ構造レーザ

DUPUIS R D; DAPKUS P D; KOLBAS R M; HOLONYAK N Jr

文献

J-GLOBAL ID：201002040911270727 整理番号：79A0358260

有機金属を用いたCVD法で成長させた量子井戸Al_xGa_1-xAs-GaAsヘテロ構造レーザ

Quantum-well Al_xGa_1-xAs-GaAs heterostructure lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition.

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資料名：
巻： 15 号： 8 ページ： 756-761 発行年： 1979年
JST資料番号： H0432A ISSN： 0018-9197 CODEN： IEJQA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MO-CVDで成長させたAlGaAs系量子井戸レーザに関し,...

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有機金属を用いたCVD法で成長させた量子井戸AlxGa1-xAs-GaAsヘテロ構造レーザ

有機金属を用いたCVD法で成長させた量子井戸Al_xGa_1-xAs-GaAsヘテロ構造レーザ