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J-GLOBAL ID：201002040970015579   整理番号：77A0298225

半導体素子のためのイオン注入

Ion implantation for semiconductor devices.
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著者 (1件)：
DUCHYNSKI R J

DUCHYNSKI R J について


資料名：
West Electr Eng  (Western Electric Engineer)

West Electr Eng について


巻： 21  号： 2  ページ： 59-66  発行年： 1977年 
JST資料番号： E0615A  ISSN： 0043-3659  CODEN： WELEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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不純物のデポジションと拡散よりも,すぐれた,pおよびn領域を...
シソーラス用語：
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イオン注入

イオン注入 について

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半導体素子

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イオン注入

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