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J-GLOBAL ID：201002042186320996   整理番号：77A0370172

半導体中の深い不純物準位の光イオン化

Фотоионизация глубоких примесных центров в полупроводниках.
著者 (2件)：
БЕЛЯВСКИЙ В И

БЕЛЯВСКИЙ В И について

, 
ШАЛИМОВ В В

ШАЛИМОВ В В について


資料名：
Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)

Fiz Tekh Poluprovo について


巻： 11  号： 8  ページ： 1505-1509  発行年： 1977年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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遷移元素でない不純物をドープした半導体の光吸収を理論的に考察...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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半導体

半導体 について

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不純物準位

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光イオン化

光イオン化 について


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