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J-GLOBAL ID：201002042773457848   整理番号：77A0329336

イオン注入法によりドープしたものとドープしていない熱成長SiO2層の電気的性質

Electrical properties of thermally grown SiO2 layers, undoped and doped, by means of ion implantation.
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著者 (1件)：
HAACK D

HAACK D について


資料名：
Int Conf Phys Non Cryst Solids  (Physics of Non-Crystalline Solids)

Int Conf Phys Non Cryst Solids について


巻： 4th  ページ： 284-290  発行年： 1977年 
JST資料番号： K19760174  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)
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Si基板上の熱成長SiO2層にPイオン...
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二酸化けい素

二酸化けい素 について

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タイトルに関連する用語
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イオン注入法

イオン注入法 について

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ドープ

ドープ について

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成長

成長 について

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SiO2

SiO2 について

, 
電気的性質

電気的性質 について


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