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J-GLOBAL ID：201002043879780458   整理番号：78A0187016

高圧水蒸気酸化によるSi中の酸化誘起積層欠陥形成の抑制

Suppression of oxidation-induced stacking fault formation in silicon by high pressure steam oxidation.
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著者 (3件)：
TSUBOUCHI N

TSUBOUCHI N について

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MIYOSHI H

MIYOSHI H について

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ABE H

ABE H について


資料名：
Proc Conf Solid State Devices  (Proceedings of the Conference on Solid State Devices)

Proc Conf Solid State Devices について


巻： 1977  号： 9th  ページ： 223-228  発行年： 1977年 
JST資料番号： S0652A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
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けい素

けい素 について

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高圧水蒸気

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酸化

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Si

Si について

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誘起

誘起 について

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積層欠陥

積層欠陥 について


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