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J-GLOBAL ID：201002045109944137   整理番号：79A0317319

GaSb金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ

GaSb metal-insulator-semiconductor field-effect-transistors.
著者 (5件)：
BARROWCLIFF E E

BARROWCLIFF E E について

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BUBULAC L O

BUBULAC L O について

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CHEUNG D T

CHEUNG D T について

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TENNANT W E

TENNANT W E について

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ANDREWS A M

ANDREWS A M について


資料名：
Tech Dig Int Electron Devices Meet  (International Electron Devices Meeting)

Tech Dig Int Electron Devices Meet について


巻： 1977  ページ： 559-562  発行年： 1977年 
JST資料番号： C0829B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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MISFETの動作を新しい材料GaSbを用いて確認。Pチャネ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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MOSFET

MOSFET について

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GaSb

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絶縁体

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電界効果トランジスタ

電界効果トランジスタ について


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