ポリイミド中間絶縁層を用いた高性能・高密度MOSプロセス

文献

J-GLOBAL ID：201002045346116699 整理番号：80A0099481

High performance, high density mos process using polyimide interlevel insulation.

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資料名：
巻： 1979 ページ： 465-467 発行年： 1979年
JST資料番号： C0829B 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

自己整合ゲートをドープド酸化膜と1.7μmのポリアミック樹脂...

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