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J-GLOBAL ID：201002049272210294   整理番号：78A0115780

GaAs膜の電子特性と原子構造の関係

Relations between electronic properties and atomic structure of GaAs films.
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著者 (2件)：
GHEORGHIU A

GHEORGHIU A について

, 
THE`YE M-L

THE`YE M-L について


資料名：
Int Conf Amorphous Liq Semicond  (Amorphous and Liquid Semiconductors)

Int Conf Amorphous Liq Semicond について


巻： 7th  ページ： 462-466  発行年： 1977年 
JST資料番号： K19770105  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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高純度GaAs粉末をせん光気化法で高真空下(〜10<sup>...
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誘電率

誘電率 について

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GaAs

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電子

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原子構造

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