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J-GLOBAL ID：201002049291915916   整理番号：80A0346461

レーザで再結晶化された多結晶シリコン上に形成した1ゲートCMOSインバータ

One-gate-wide CMOS inverter on laser-recrystallized polysilicon.

著者 (2件)： GIBBONS J F (Stanford Univ., CA) ,  LEE K F (Stanford Univ., CA)
資料名： IEEE Electron Device Lett  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 1  号： 6  ページ： 117-118  発行年： 1980年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0193-8576  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： nチャネルとpチャネル素子の単一ゲートをもつCMOSインバー...

シソーラス用語： MOSFET ,...

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タイトルに関連する用語 (5件)： レーザ ,  再結晶化 ,  多結晶シリコン ,  ゲート ,  CMOSインバータ