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J-GLOBAL ID：201002052089656845   整理番号：76A0119037

1.1μmで放射するGaInAsP/InP二重ヘテロ構造ダイオード・レーザの室温動作

Room-temperature operation of GaInAsP/InP doubleheterostructure diode lasers emitting at 1.1 μm.

著者 (1件)： HSIEH J J
資料名： Appl Phys Lett  (Applied Physics Letters)
巻： 28  号： 5  ページ： 283-285  発行年： 1976年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP基板上,液相エピタキシーで成長させる層膜からGa<su...

シソーラス用語： 半導体レーザ ,...

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タイトルに関連する用語 (7件)： 放射 ,  GaInAsP ,  InP ,  ヘテロ構造 ,  ダイオード ,  レーザ ,  室温