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J-GLOBAL ID：201002053428438913   整理番号：77A0227262

イオン注入Si単結晶における放射線損傷の深さ分布

Tiefenverteilung von Strahlenschaeden in implantierten Siliziumeinkristallen.
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GOETZ G

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KLINGE K-D

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SCHWABE F

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SOLOVJOV V

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資料名：
Exp Tech Phys  (Experimentelle Technik der Physik)

Exp Tech Phys について


巻： 25  号： 1  ページ： 71-79  発行年： 1977年 
JST資料番号： B0497A  ISSN： 0014-4924  CODEN： EXPPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 東ドイツ (DDR)  言語： ドイツ語 (DE)
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イオン注入

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放射線損傷

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深さ分布

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