n-型半導体のアノード溶解の熱力学的ポテンシャル  光電気化学セルの耐久性と効率をコントロールする決定的ファクターと,新しい電極/電解質系を選ぶ重要な基準

BARD A J; WRIGHTON M S

文献

J-GLOBAL ID：201002056853976758 整理番号：78A0053297

n-型半導体のアノード溶解の熱力学的ポテンシャル光電気化学セルの耐久性と効率をコントロールする決定的ファクターと,新しい電極/電解質系を選ぶ重要な基準

Thermodynamic potential for the anodic dissolution of n-type semiconductors. A crucial factor controlling durability and efficiency in photoelectrochemical cells and an important criterion in the selection of new electrode/electrolyte systems.

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巻： 124 号： 11 ページ： 1706-1710 発行年： 1977年
JST資料番号： C0285A ISSN： 0013-4651 CODEN： JESOA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

n-型半導体のアノード溶解の標準ポテンシャルE<sub>D<...

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n-型半導体のアノード溶解の熱力学的ポテンシャル 光電気化学セルの耐久性と効率をコントロールする決定的ファクターと,新しい電極/電解質系を選ぶ重要な基準

n-型半導体のアノード溶解の熱力学的ポテンシャル光電気化学セルの耐久性と効率をコントロールする決定的ファクターと,新しい電極/電解質系を選ぶ重要な基準