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J-GLOBAL ID：201002057844341126   整理番号：77A0334832

半導体素子構造プロセスにおける窒化シリコン-二酸化シリコン誘電体層の最適厚さ

Optimized thickness of silicon nitride-silicon dioxide dielectric for semiconductor processing.

著者 (3件)： BOHG A ,  GAIND A K ,  HEARN E W
資料名： IBM Tech Disclosure Bull  (IBM Technical Disclosure Bulletin)
巻： 20  号： 3  ページ： 1010-1011  発行年： 1977年 
JST資料番号： E0292B  ISSN： 0018-8689  CODEN： IBMTA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘電体分離によってNPNトランジスタを構成する際にエミッタ領...

シソーラス用語： トランジスタ ,...

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タイトルに関連する用語 (6件)： 半導体素子 ,  プロセス ,  窒化シリコン ,  二酸化シリコン ,  誘電体 ,  厚さ