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J-GLOBAL ID:201002057893050463   整理番号:79A0261214

インジウムを高度にドープしたn型ZnSe 結晶の高電場直流導電率

High-field DC conductivity in n-type ZnSe crystals heavily doped with indium.
著者 (4件):
資料名:
巻: 71  号: 2/3  ページ: 262-264  発行年: 1979年 
JST資料番号: C0600B  ISSN: 0031-9163  CODEN: PYLAA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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熱活性型導電率は電場とともに増加し,活性化エネルギーは減少。...
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