けい素とりん化インジウムに対する金接点の性質に対する界面層の影響

WILLIAMS R H; MONTGOMERY V; VARMA R R; McKINLEY A

文献

J-GLOBAL ID：201002058130633170 整理番号：78A0048660

けい素とりん化インジウムに対する金接点の性質に対する界面層の影響

The influence of interfacial layers on the nature of gold contacts to silicon and indium phosphide.

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資料名：
巻： 10 号： 18 ページ： L253-L256 発行年： 1977年
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

金と半導体SiならびにInPとの間の界面にあるショットキー障...

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