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J-GLOBAL ID：201002058504174272   整理番号：76A0136601

電荷ポンピング電流を用いたMOSトランジスタの表面準位密度の測定

The use of charge pumping currents to measure surface state densities in MOS transistors.

著者 (1件)： ELLIOT A B M
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 19  号： 3  ページ： 241-247  発行年： 1976年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  CODEN： SSELA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲートパルスが印加された場合に基板に流れる電荷ポンピング電流...

シソーラス用語： MOSFET ,...

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タイトルに関連する用語 (3件)： 電荷ポンピング ,  MOSトランジスタ ,  準位密度