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J-GLOBAL ID:201002058577124770 整理番号:77A0334785
半導体メモリ用素子の製造技術と物理的基礎
Herstellungstechnologie und physikalische Grundlagen von Bauelementen fuer Halbleiterspeicher.
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著者 (1件):
MOELLER A
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名寄せID(JGPN) 201550000294200285 ですべてを検索
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資料名:
NTG Fachber (Nachrichtentechnische Fachberichte)
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巻:
58
ページ:
79-98
発行年:
1977年
JST資料番号:
E0417A
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
ドイツ語 (DE)
抄録/ポイント:
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