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J-GLOBAL ID：201002058756251490   整理番号：77A0370179

T=300Kで電子線照射を受けたCd_xHg_1-xTeの電気物理的特性と再結合特性

Электрофизические и рекомбинационные характеристики Cd_xHg_1-xTe, облученного электронами при T=300 K.

著者 (9件)： БРУДНЫЙ В Н ,  ВОЙЦЕХОВСКИЙ А В ,  ГРЕЧУХ З Г ,  КРИВОВ М А ,  ЛИЛЕНКО Ю В ,  ЛИМАРЕНКО Л Н ,  ПАШКОВСКИЙ М В ,  ПЕТРОВ А С ,  ПОТАПОВ А И
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 11  号： 8  ページ： 1540-1544  発行年： 1977年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 室温で2MeVの電子線で照射したnおよびp型のCd<sub>...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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タイトルに関連する用語 (3件)： 電子線照射 ,  物理的特性 ,  再結合