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J-GLOBAL ID：201002059033966854   整理番号：77A0131787

バイポーラ技術におけるエピタキシャル層の不純物濃度の測定

EPI concentration measurement in bipolar technology.

著者 (4件)： BHATIA H S ,  DONEY D A ,  MONTILLO F ,  SCHEFFER C W
資料名： IBM Tech Disclosure Bull  (IBM Technical Disclosure Bulletin)
巻： 19  号： 8  ページ： 3019-3020  発行年： 1977年 
JST資料番号： E0292B  ISSN： 0018-8689  CODEN： IBMTA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： P形ウエハ上にN形エピタキシャル層をつけ不純物濃度を測定する...

シソーラス用語： 半導体集積回路 ,...

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タイトルに関連する用語 (3件)： バイポーラ ,  エピタキシャル層 ,  不純物濃度