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J-GLOBAL ID：201002060529378381   整理番号：79A0298157

半導体中のGauss分布n形イオン注入層のシート抵抗値の理論的検討 SiにおけるP

Theoretical estimates of the sheet resistance of Gaussian n-type ion-implanted layers in semiconductors: Phosphorus in silicon.

著者 (2件)： SCARFONE L M ,  CHLIPALA J D
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 22  号： 6  ページ： 559-566  発行年： 1979年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  CODEN： SSELA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高イオン注入量をもつ半導体中のGauss分布n形のイオン注入...

シソーラス用語： 半導体 ,...

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タイトルに関連する用語 (5件)： Gauss分布 ,  イオン注入 ,  シート抵抗 ,  理論 ,  Si