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J-GLOBAL ID：201002061008418588   整理番号：78A0011564

³¹P,⁷⁵Asおよび¹¹Bイオン注入したSiの非晶質層の再秩序化

Reordering of amorphous layers of Si implanted with ³¹P, ⁷⁵As, and ¹¹B ions.

著者 (5件)： CSEPREGI L ,  KENNEDY E F ,  GALLAGHER T J ,  MAYER J W ,  SIGMON T W
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 10  ページ： 4234-4246  発行年： 1977年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 〈100〉および〈111〉Siへのイオン注入により生じた非晶...

シソーラス用語： イオン注入 ,...

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タイトルに関連する用語 (4件)： 注入 ,  Si ,  非晶質 ,  秩序化