文献
J-GLOBAL ID：201002061961900761 整理番号：78A0009697
バイポーラ集積回路のためのAsをドープした多結晶Si膜
Arsenic-doped polycrystalline silicon film for bipolar integrated circuits.
出版者サイト
複写サービスで全文入手
{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=78A0009697©=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで
{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=78A0009697&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0225A") }}
著者 (1件)：
PAREKH P C
PAREKH P C について
名寄せID(JGPN) 201550000089518450 ですべてを検索
「PAREKH P C」ですべてを検索
資料名：
Solid-State Electron (Solid-State Electronics)
Solid-State Electron について
JST資料番号 H0225A ですべてを検索
ISSN,ISBN,CODENですべてを検索
資料情報を見る
巻：
20
号：
11
ページ：
883-889
発行年：
1977年
JST資料番号：
H0225A
ISSN：
0038-1101
CODEN：
SSELA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
イギリス (GBR)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
高速のバイポーラ集積回路の製造には,Asドープ多結晶Si膜を...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
バイポーラ集積回路
バイポーラ集積回路 について
「バイポーラ集積回路」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
,...
続きはJDreamIII（有料）にて
{{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=78A0009697&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0225A") }}
タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
バイポーラ集積回路
バイポーラ集積回路 について
「バイポーラ集積回路」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
,
ドープ
ドープ について
「ドープ」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
,
多結晶Si膜
多結晶Si膜 について
「多結晶Si膜」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
前のページに戻る
TOP
BOTTOM
