イオン化する放射線で結晶を照射した半導体-強誘電体における異常ボルティック効果

ИВАНОВ П Б; ШИПАТОВ Э Т

文献

J-GLOBAL ID：201002062123119221 整理番号：79A0286512

イオン化する放射線で結晶を照射した半導体-強誘電体における異常ボルティック効果

Аномальный вольтаический эффект в полупроводниках-сегнетоэлектриках при облучении кристаллов ионизирующим излучением.

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巻： 21 号： 5 ページ： 1565-1567 発行年： 1979年
JST資料番号： R0029B ISSN： 0015-3249 CODEN： FTVTA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：旧ソビエト連邦 (SUN) 言語：ロシア語 (RU)

BaTiO₃とSbSIのX線,γ線,α...

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