文献

J-GLOBAL ID：201002062873145798   整理番号：79A0124800

分子線エピタクシー(MBE)で成長させた電界効果トランジスタ用高ドープn-GaAs層に対する合金化のないin situなオーミック接触

Nonalloyed and in situ Ohmic contacts to highly doped n-type GaAs layers grown by molecular beam epitaxy (MBE) for field-effect transistors.

著者 (3件)： DiLORENZO J V ,  NIEHAUS W C ,  CHO A Y
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 2  ページ： 951-954  発行年： 1979年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MBE法によりSnを約5×10¹⁹cm...

シソーラス用語： ひ化ガリウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=79A0124800&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

タイトルに関連する用語 (8件)： 分子線エピタクシー ,  MBE ,  成長 ,  電界効果トランジスタ ,  ドープ ,  GaAs ,  合金化 ,  オーミック接触