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J-GLOBAL ID：201002062931715044   整理番号：77A0282557

チョクラルスキー法で引き上げたシリコン結晶中の動径方向の不純物分布を改善する方法

A method to improve the radial impurity distribution in Czochralski silicon crystals.
著者 (2件)：
SUGAWARA K

SUGAWARA K について

, 
TOCHIKUBO H

TOCHIKUBO H について


資料名：
J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)

J Electrochem Soc について


巻： 124  号： 6  ページ： 951-952  発行年： 1977年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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りんドープのシリコンn型CZ結晶中の動径方向濃度分布を改善す...
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りん

りん について

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タイトルに関連する用語 (3件)：
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チョクラルスキー法

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シリコン結晶

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不純物分布

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