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J-GLOBAL ID：201002063266212210   整理番号：79A0325498

電子ビームを照射したMIS構造へのRFアニール効果

The effect of RF annealing upon electron-beam irradiated MIS structures.

著者 (2件)： MA W H-L ,  MA T P
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 22  号： 7  ページ： 663-666  発行年： 1979年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  CODEN： SSELA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビームを照射したMOS及びMNOS構造への13.56MH...

シソーラス用語： 電子照射 ,...

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タイトルに関連する用語 (4件)： 電子ビーム ,  MIS構造 ,  RF ,  アニール効果