文献
J-GLOBAL ID：201002063416745794   整理番号：79A0292999

イオン打込みしたMNOSキャパシタを用いたMNOSトランジスタの評価

Metal-nitride-oxide-semiconductor transistor characterization using implanted MNOS capacitors.
著者 (1件)：
BROWN W D

BROWN W D について


資料名：
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

Thin Solid Films について


巻： 59  号： 1  ページ： 125-129  発行年： 1979年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  CODEN： THSFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
イオン打込み法でMNOSキャパシタを作成し,書き込み-消去サ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
MNOS構造

MNOS構造 について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=79A0292999&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0899A") }}
タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
イオン打込み

イオン打込み について

, 
キャパシタ

キャパシタ について

, 
トランジスタ

トランジスタ について

, 
評価

評価 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM