文献
J-GLOBAL ID：201002064578032674
整理番号：77A0267823
わずかにドープした半導体のドナーおよびアクセプタ濃度の繰返し測定法-n型GaAsへの応用
M<span style=text-decoration:overline>e ́</span>thode it<span style=text-decoration:overline>e ́</span>rative de calcul des concentrations en <span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>ments donneurs et accepteurs d’un semiconducteur faiblement dop<span style=text-decoration:overline>e ́</span>: application au cas de GaAs de type n.
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