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J-GLOBAL ID：201002064879617791   整理番号：77A0164262

表面濃度制御条件下でのシリコン中へのりんの拡散

Phosphorus diffusion into silicon under the condition of controlled surface concentration.

著者 (2件)： MATSUMOTO S ,  NIIMI T
資料名： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 15  号： 11  ページ： 2077-2082  発行年： 1976年 
JST資料番号： G0520A  CODEN： JJAPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン中へのりんの拡散を,900〜1150°C,内的および...

シソーラス用語： りん ,...

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引用文献 (15件)：

• 1) E. Tannenbaum: Solid State Electron. 2 (1961) 123.
• 2) S. Maekawa: J. Phys. Soc. Japan 17 (1962) 1592.
• 3) J. C. C. Tsai: Proc. IEEE 57 (1969) 1499.
• 4) F. N. Schwettmann and D. L. Kendall: Appl. Phys. Letters 21 (1972) 1.
• 5) J. S. Makris and B. J. Masters: J. Electrochem. Soc. 120 (1973) 1252.

タイトルに関連する用語 (4件)： 濃度制御 ,  シリコン ,  りん ,  拡散