文献
J-GLOBAL ID:201002064984485973 整理番号:77A0368156
イオン注入による新しい化合物と材料
Grace a l’implantation ionique: des composants et mat<span style=text-decoration:overline>e ́</span>riaux nouveaux.
出版者サイト
複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで
{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=77A0368156&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0115A") }}
著者 (1件):
GUERNET G
GUERNET G について
名寄せID(JGPN) 201550000155631336 ですべてを検索
「GUERNET G」ですべてを検索
資料名:
Electron Appl Ind (Electronique Industrielle et Microelectronique)
Electron Appl Ind について
JST資料番号 A0115A ですべてを検索
ISSN,ISBN,CODENですべてを検索
資料情報を見る
巻:
238
ページ:
15-18
発行年:
1977年
JST資料番号:
A0115A
ISSN:
0398-1851
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
フランス (FRA)
言語:
フランス語 (FR)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
半導体へのイオン注入技術を紹介し,不純物の注入量および注入エ...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
イオン注入
イオン注入 について
「イオン注入」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
,...
続きはJDreamIII(有料)にて
{{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=77A0368156&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0115A") }}
タイトルに関連する用語 (1件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
イオン注入
イオン注入 について
「イオン注入」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
前のページに戻る
TOP
BOTTOM