Bi4Ti3O12膜を用いた強誘電電界効果メモリデバイス

SUGIBUCHI K; KUROGI Y; ENDO N

文献

J-GLOBAL ID：201002065930704307 整理番号：75A0322598

Bi₄Ti₃O₁₂膜を用いた強誘電電界効果メモリデバイス

Ferroelectric field-effect memory device using Bi₄Ti₃O₁₂ film.

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巻： 46 号： 7 ページ： 2877-2881 発行年： 1975年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

rfスパッタリングによりSi基板上に蒸着したBi4...

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