文献
J-GLOBAL ID：201002067410548828   整理番号：78A0038688

B2H6-PH3-H2系を用いてSi基板上にエピタキシャル成長したBPの結晶性

Crystalline properties of BP epitaxially grown on Si substrates using B2H6-PH3-H2 system.
著者 (2件)：
HIRAI Y

HIRAI Y について

, 
SHOHNO K

SHOHNO K について


資料名：
J Cryst Growth  (Journal of Crystal Growth)

J Cryst Growth について


巻： 41  号： 1  ページ： 124-132  発行年： 1977年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  CODEN： JCRGA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>-PH<...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
りん化物

りん化物 について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=78A0038688&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}
タイトルに関連する用語 (7件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
B2H6

B2H6 について

, 
PH3

PH3 について

, 
H2

H2 について

, 
Si基板

Si基板 について

, 
エピタキシャル成長

エピタキシャル成長 について

, 
BP

BP について

, 
結晶性

結晶性 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM