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J-GLOBAL ID:201002068530238934 整理番号:79A0085352
GaNの結晶成長と形態
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著者 (2件):
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資料名:
応用物理 (JSAP International)
応用物理 について
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巻:
48
号:
3
ページ:
269-272
発行年:
1979年
JST資料番号:
F0252A
ISSN:
0369-8009
CODEN:
OYBSA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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引用文献 (5件):
1) H. P. Maruska and J. J. Tietjen: Appl. Phys, Lett. 15 (1969.) 327.
2) T. L. Chu, K. Ito, R. K. Smeltzer and Shirley S. C. Chu: J. Electrochem. Soc. 121 (1974) 159.
3) E. Ejder: J. Cryst. Growth 22 (1974) 44.
4) R. B. Zetterstrom: J. Mater. Sci. 5 (1970) 1102.
5) E. Schonherr and E. Winckler: J. Cryst. Growth 36 (1976) 353.
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