深い不純物準位を有するp-i-nダイオードの負性抵抗発生条件

秋葉幸男; 黒須たて生; 野田克史; さい一えい; 飯田まさ盛

文献

J-GLOBAL ID：201002069896377151 整理番号：80A0231228

深い不純物準位を有するp-i-nダイオードの負性抵抗発生条件

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資料名：
巻： 49 号： 6 ページ： 557-562 発行年： 1980年
JST資料番号： F0252A ISSN： 0369-8009 CODEN： OYBSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

トラップが電子によって部分的に満たされた場合の,半絶縁体にお...

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