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J-GLOBAL ID:201002070192654298 整理番号:80A0036633
シリコンウエーハのそり
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著者 (1件):
高須新一郎
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名寄せID(JGPN) 201550000030658704 ですべてを検索
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名寄せID(JGON) 201551000080457126 ですべてを検索
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資料名:
応用物理 (JSAP International)
応用物理 について
JST資料番号 F0252A ですべてを検索
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巻:
49
号:
1
ページ:
83-89
発行年:
1980年
JST資料番号:
F0252A
ISSN:
0369-8009
CODEN:
OYBSA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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引用文献 (11件):
1) 高須新一郎;応用物理 45 (1976) 1103.
2) 井入正博,古川章彦:応用物理 46 (1977) 1211.
3) Pei Wang: Semiconductor Silicon 1977 (Electrochemical Society, Princeton, 1977) p. 170.
4) Shin. Takasu and Y. Matsushita: Proc. 6th Conf. Solid State Devices, Tokyo, 1974, J. Jpn. Soc. Appl. Phys.44 (1975) Suppl. p. 259.
5) 高須新一郎,井出川洋,大塚英雄:東芝レビュー 28 (1973) 1438.
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