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J-GLOBAL ID：201002071657311178   整理番号：77A0211562

酸化薄膜のメモリトランジスタにおける直接トンネリングによる電荷輸送

Charge transfer by direct tunneling in thin-oxide memory transistors.

著者 (1件)： FERRIS-PRABHU A V
資料名： IEEE Trans Electron Devices  (IRE Transactions on Electron Devices)
巻： 24  号： 5  ページ： 524-530  発行年： 1977年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化薄膜のMNOSメモリトランジスタにおける直接トンネリング...

シソーラス用語： 半導体メモリ ,...

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タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化 ,  薄膜 ,  トランジスタ ,  直接トンネリング ,  電荷輸送