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J-GLOBAL ID：201002071668209324   整理番号：77A0298882

半導体における自由キャリア衝突イオン化の方位依存性:GaAs

Orientation dependence of free-carrier impact ionization in semiconductors: GaAs.

著者 (3件)： PEARSALL T P ,  NAHORY R E ,  CHELIKOWSKY J R
資料名： Phys Rev Lett  (Physical Review Letters)
巻： 39  号： 5  ページ： 295-298  発行年： 1977年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsにおいて衝突イオン化率の電場方位への依存性を示し,電...

シソーラス用語： 半導体 ,...

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タイトルに関連する用語 (4件)： 自由キャリア ,  衝突イオン化 ,  方位依存性 ,  GaAs